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P/N
Plateform
Configuration
Package
N/P
VDSS(V)
VGS(V)
ID(A)
VGS(th) Min
VGS(th) Max
Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
Rdson @VGS10V Max(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)

CM60R180P
Plateform SJ MOSFET
Configuration Single
Package TO-220
N/P N
VDSS(V) 600
VGS(V) ±30
ID(A) 21
VGS(th) Min 2
VGS(th) Max 4
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 140
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 180
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CM65R180F8
Plateform SJ MOSFET
Configuration Single
Package DFN8x8
N/P N
VDSS(V) 650
VGS(V) ±30
ID(A) 21
VGS(th) Min 2
VGS(th) Max 4
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 150
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 180
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CMN1002PGLA
Plateform SGT MOSFET
Configuration Single
Package TOLL-A
N/P N
VDSS(V) 100
VGS(V) ±20
ID(A) 120
VGS(th) Min 2
VGS(th) Max 4
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.9
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.4
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CM20N65AHZ
Plateform Planar MOSFET
Configuration Single
Package TO-247
N/P N
VDSS(V) 650
VGS(V) ±30
ID(A) 21.7
VGS(th) Min 2
VGS(th) Max 4
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 320
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 420
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CM02N65AHD
Plateform Planar MOSFET
Configuration Single
Package TO-251
N/P N
VDSS(V) 650
VGS(V) ±30
ID(A) 2
VGS(th) Min 2
VGS(th) Max 4
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4000
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5000
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CM02N65AHU
Plateform Planar MOSFET
Configuration Single
Package TO-252
N/P N
VDSS(V) 650
VGS(V) ±30
ID(A) 2
VGS(th) Min 2
VGS(th) Max 4
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4000
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5000
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CM10N65AHP
Plateform Planar MOSFET
Configuration Single
Package TO-220
N/P N
VDSS(V) 650
VGS(V) ±30
ID(A) 10
VGS(th) Min 3
VGS(th) Max 5
Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1000
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CM02N65CHD
Plateform Planar MOSFET
Configuration Single
Package TO-251
N/P N
VDSS(V) 650
VGS(V) ±30
ID(A) 2
VGS(th) Min 2
VGS(th) Max 4
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4400
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5300
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CM12N20TU
Plateform Planar MOSFET
Configuration Single
Package TO-252
N/P N
VDSS(V) 200
VGS(V) ±20
ID(A) 12
VGS(th) Min 2
VGS(th) Max 4
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 220
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 280
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CMP233155R
Plateform Trench MOSFET
Configuration Single
Package SOT-23
N/P P
VDSS(V) -30
VGS(V) ±20
ID(A) -2.2
VGS(th) Min -1
VGS(th) Max -2.5
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 135
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 165
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 240
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 310
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

AU1281D3
Family High Voltage TVS
UNI/BI Bi
Line Config 1-Line
VRWM(V) 12
VBR Min(V) 13.3
Cj Typ(pF) 100
Cj Max
Cj Max新
VC(V) 28
IPP Max(A) 85
IR Max(μA) 0.5
PPP(W) 2380
Package SOD-323
加入對(duì)比

ASRV05-4A
Family Low Capacitance TVS
UNI/BI Bi
Line Config 4-Line
VRWM(V) 5
VBR Min(V) 6
Cj Typ(pF) 5
Cj Max
Cj Max新
VC(V) 15
IPP Max(A) 20
IR Max(μA) 0.5
PPP(W) 300
Package SOT23-6
加入對(duì)比

AR1821P1LV
Family Low Capacitance TVS
UNI/BI Bi
Line Config 1-Line
VRWM(V) 18
VBR Min(V) 19.5
Cj Typ(pF) 0.25
Cj Max
Cj Max新
VC(V) 34
IPP Max(A) 1
IR Max(μA) 0.5
PPP(W) 34
Package DFN1006-2
加入對(duì)比

CMP9435S
Plateform Trench MOSFET
Configuration Dual
Package SO-8
N/P P
VDSS(V) -30
VGS(V) ±10
ID(A) -5.9
VGS(th) Min -1
VGS(th) Max -2.5
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 36
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 45
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 50
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 65
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CM3401N
Plateform Trench MOSFET
Configuration Single
Package SOT-23
N/P P
VDSS(V) -30
VGS(V) ±12
ID(A) -4
VGS(th) Min -0.7
VGS(th) Max -1.3
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 45
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 55
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 55
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 85
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 85
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 110
加入對(duì)比

CMP3009TF3
Plateform Trench MOSFET
Configuration Single
Package PDFN3.3x3.3
N/P P
VDSS(V) -30
VGS(V) ±20
ID(A) -45
VGS(th) Min -1
VGS(th) Max -2.5
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.5
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CMP3008F3
Plateform Trench MOSFET
Configuration Single
Package PDFN3.3x3.3
N/P P
VDSS(V) -30
VGS(V) ±20
ID(A) -43
VGS(th) Min -1
VGS(th) Max -2.5
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7.5
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9.5
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 11.2
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 14.5
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CMN3205B
Plateform Trench MOSFET
Configuration Single
Package TO-263
N/P N
VDSS(V) 60
VGS(V) ±20
ID(A) 105
VGS(th) Min 2
VGS(th) Max 4
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.9
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.5
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CMNBSS138DW
Plateform Trench MOSFET
Configuration Dual
Package SOT-363
N/P N
VDSS(V) 50
VGS(V) ±20
ID(A) 0.34
VGS(th) Min 0.8
VGS(th) Max 1.6
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1100
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2500
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 1200
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3000
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

CMN3008TF3
Plateform Trench MOSFET
Configuration Single
Package PDFN5x6
N/P N
VDSS(V) 30
VGS(V) ±20
ID(A) 48
VGS(th) Min 1
VGS(th) Max 2.5
Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.5
Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
加入對(duì)比

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